600V/650V/700V SJ MOS

基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率。

PFC（功率因数校正）拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种，PFC拓扑对MOS管的要求比较高，在保证系统效率和温升的条件下，要尽可能的提升系统稳定性用来改善电子或电力设备装置的功率因素，用于提高配电设备及其配线的利用率,以降低设备的装置容量；

紫光微可以提供 600V，650V ，700V 的多次外延（ Multi-EPI ）SJMOS，PFC可选择。

600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

LLC拓扑常用于大功率谐振式变换器，是150W至1.6kW应用的理想选择。因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率，在大幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、电动汽车充电桩等领域

无锡紫光微提供的BV为650V的MutliEPISJ-MOS可用于谐波半桥电源应用,也提供具有高速快恢复二极管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二极管具有短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用

600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

逆变电路工作原理开关T1、T4闭合，T2、T3断开: 开关T1、T4断开，T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 ， 则 在 负载电 阻 R上 获 得交变电压波形(正负交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，这样，就将直流电压变成了交流电压