中低压Trench MOS

紫光的中低压功率场效应晶体管运用先进的Trench制程技术，具有较强的雪崩能力。

推挽电路采用两个参数相同的功率MOS,以推推挽方式存在电路中，各负责正负半周的波形，电路工作时，对称的功率mos每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高，推挽电路既可以向负载灌电流，也可从负载抽取电流，应用于低电压大电流的场合

600V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用，更强的雪崩能力。

逆变电路工作原理开关T1、T4闭合，T2、T3断开: 开关T1、T4断开，T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 ， 则 在 负载电 阻 R上 获 得交变电压波形(正负交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，这样，就将直流电压变成了交流电压