推荐系列

中低压Trench MOS

产品优势

紫光的中低压功率场效应晶体管运用先进的Trench制程技术,具有较强的雪崩能力。

系统概述

推挽电路采用两个参数相同的功率MOS,以推推挽方式存在电路中,各负责正负半周的波形,电路工作时,对称的功率mos每次只有一个导通,所以导通损耗小效率高,推挽电路既可以向负载灌电流,也可从负载抽取电流,应用于低电压大电流的场合

系统原理图
推荐系列

600V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

产品优势

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用,具有高速快恢复二极管(FRD),短的反向恢复时间(Trr),适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用,更强的雪崩能力。

系统概述

逆变电路工作原理开关T1、T4闭合,T2、T3断开: 开关T1、T4断开,T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 , 则 在 负载电 阻 R上 获 得交变电压波形(正负交替的方波),其周期 Ts=1/fS,这样,就将直流电压变成了交流电压

系统原理图
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