低压Trench MOS/高压带FRD Multi-EPI SJ MOS

运用先进的Trench制程技术，紫光的中低压功率场效应晶体管，击穿电压范围从30V到100V，具有较低的导通电阻和较低的栅电荷，从而大大提高电源工作效率。

控制器主控电路拓扑为三相全桥式电路，分为六个桥臂；不并联（俗称单管）时单机用量为6颗MOS即每个桥臂一颗MOS；并联使用时控制器MOS数量为3的倍数,在电机类应用中主要是向园林工具、电动助力车控制器、电动工具等应用去进行适配。我们提供30V~100V的中低压Trench，具有较低的导通电阻和较低的栅电荷，从而大大提高电源工作效率