650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。

反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，mos导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路

DT MOS/Trench MOS

DT MOSFET是采用了具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理的屏蔽栅（或称为分立栅）MOSFET技术(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。                

Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局，可以提高器件各个方向的电流均匀性，有效防止在极限工作下部分区域的提前失效，增强了产品功率密度和可靠性

同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于提高电源的效率，它替代输出整流二极管，利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。

600V/650V Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率。

PFC（功率因数校正）拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种，PFC拓扑对MOS管的要求比较高，在保证系统效率和温升的条件下，要尽可能的提升系统稳定性用来改善电子或电力设备装置的功率因素，用于提高配电设备及其配线的利用率,以降低设备的装置容量；

紫光微可以提供 600V，650V ，700V 的多次外延（ Multi-EPI ）SJMOS，PFC可选择。

600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振半桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

LLC拓扑常用于大功率谐振式变换器，是150W至1.6kW应用的理想选择。因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率，在大幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、电动汽车充电桩等领域

无锡紫光微提供的BV为650V的MutliEPISJ-MOS可用于谐波半桥电源应用,也提供具有高速快恢复二极管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二极管具有短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用

600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS

带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。

逆变电路工作原理开关T1、T4闭合，T2、T3断开: 开关T1、T4断开，T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 ， 则 在 负载电 阻 R上 获 得交变电压波形(正负交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，这样，就将直流电压变成了交流电压

Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率。

正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种，对于单管正激，由于变压器需要增加额外的磁复位绕组，在主开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管，以应对电压变化带来的冲击。

双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流，对MOS管的要求相对宽松，每个mos理论上的电压为直流母线电压，对选取相对较低耐压mos，同时Rdson较小，可进一步提高效率通常应用于计算机主电源，中等功率通信电源，变频器等辅助电源