通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大化， 从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。 同时， 电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效降低了栅极电荷 (Qg)，尤且是栅极漏极间的电荷 (Qgd)，从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。 通过采用这些先进的技术手段， MOSFET的FOM (Qg x Rdson)得以实现行行业内的领先水平。