TRENCH MOSFET 沟槽式金属氧化物半导体场效应管这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度,因而拥有更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。同时由于Trench MOS的沟道是垂直的,故可进一步提高其沟道密度,减小芯片尺寸,降低导通电阻。并且其具有 MOS 器件的一切优点,如:开关速度快、驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。

产品特点:

  • Rsp小;
  • 低FOM(Rdson×Qg);
  • 高可靠性。

应用范围:

  • 锂电保护
  • 交流/直流电源的同步整流
  • 电机驱动
产品V(BR)DSS(V)ID(A)RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10vRDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5vV(GS)th-min(V)V(GS)th-max(V)Ciss(pF)Qg(nC)Package
TTB115N08A,TTP115N08A801157.5-246650112TO-263,TO-220
TMB160N08A,TMP160N08A801604.5-249000180TO-263,TO-220
TMP160N08A801604.5-2490000180TO-220
TMB140N08A801405.5-246320146TO-263
TMP140N08A801405.5-246320146TO-220
TMP120N08A801206.0-245560130TO-220
TMP80N08A80808.5-24313484TO-220
TMB80N08A80808.5-24313484TO-263
TTE04N08AT80425026012.431536TO-251-SL
TTE03N08AT80336042012.42204.1TO-251-SL
TTB145N08A,TTP145N08A801455.9-248200160TO-263,TO-220

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