TRENCH MOSFET 沟槽式金属氧化物半导体场效应管这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度,因而拥有更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。同时由于Trench MOS的沟道是垂直的,故可进一步提高其沟道密度,减小芯片尺寸,降低导通电阻。并且其具有 MOS 器件的一切优点,如:开关速度快、驱动功率小等。并联的元胞具有负的温度系数,有利于大电流和更宽的安全工作区的实现。

产品特点:

  • Rsp小;
  • 低FOM(Rdson×Qg);
  • 高可靠性。

应用范围:

  • 锂电保护
  • 交流/直流电源的同步整流
  • 电机驱动
产品V(BR)DSS(V)ID(A)RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10vRDS(ON) (mΩ max)* at VGS=4.5vV(GS)th-min(V)V(GS)th-max(V)Ciss(pF)Qg(nC)Package
TTE03P06AJ-60-1320400-1-2.5TO-251-SL
TTE03P06AT-60-3400540-1-2.422025TO-251-SL

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